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姓名:彭长四

职称:教授

直属机构:太阳成集团tyc7111cc

学位:理学、工学双博士

毕业院校:中科院物理所、(芬兰)坦佩雷理工大学

电子邮箱:http://changsipeng.com

办公地址:苏州大学本部院士楼304

联系电话:13776041002

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个人资料

  • 直属机构:太阳成集团tyc7111cc
  • 联系电话:13776041002
  • 性别:
  • 电子邮箱:http://changsipeng.com
  • 专业技术职务:
  • 办公地址:苏州大学本部院士楼304
  • 毕业院校:中科院物理所、(芬兰)坦佩雷理工大学
  • 通讯地址:江苏省苏州市十梓街1号161信箱
  • 学位:理学、工学双博士
  • 邮编:215006
  • 学历:博士研究生
  • 传真:0512-65112232

教育经历

教育经历:
  • 博士研究生(在职),2004.01-2009.10,光电子,(芬兰)坦佩雷理工大学,工学博士,2009.11,光电子,(芬兰)坦佩雷理工大学
  • 博士研究生,1993.09-1998.06,凝聚态物理,中科院物理所,理学博士,1998.08,凝聚态物理,中科院物理所
  • 大学本科,1985.09-1990.06,物理学,武汉大学,理学学士,1990.06,物理学,武汉大学

工作经历

工作经历:
  • 2018.06-2019.05,(英国)贝德福特大学,纳米制造领域的研究与国际合作,教授(兼职)
  • 2019.02-,苏州大学,光电学院公共平台主管,公共平台主任
  • 2014.09-,苏州大学,敬文书院学业导师,教授
  • 2009.10-,苏州大学,组建量子点和纳米仿生研究室,特聘教授
  • 2004.01-2009.04,(芬兰)Epicrystals有限公司,领导RGB半导体激光器投影仪的研发,合伙人和高级研发工程师
  • 2001.02-2009.12,(芬兰)坦佩雷理工大学,III-V族分子束外延、半导体激光器,资深研究员
  • 2000.07-2005.05,中科院物理所,SiGe/Si分子束外延,副研究员(破格晋升)
  • 1998.07-2000.06,中科院物理所,SiGe/Si分子束外延,助理研究员
  • 1999.12-2000.02,(日本筑波)电子综合研究所,半导体太阳能电池,STA Research Fellow
  • 1990.07-1993.08,(中日合资)青岛新和文具有限公司,弹簧钢文具制备,技术部助理、总经理秘书、质检经理

个人简介

个人简介:

彭长四,男,教授,博导。苏州大学光电学院特聘教授,公共平台主任。湖南涟源人。

1990年获武汉大学理学学士学位;1998年获中科院物理所理学博士学位;2009年获得(芬兰)坦佩雷理工大学(TUT)光电子研究中心(ORC)(在职)工学博士学位。

详情请见网页:http://changsipeng.com


2009-至今:组建量子点和纳米仿生研究室

  1. 国际原创并首次实现无缺陷外延量子点定位生长(基于此成果,英国谢菲尔德大学Hopkinson教授获得英国EPSRC先驱研究与技能”和欧盟地平线2020未来的新兴技术FET)”约3600万人民币的项目支持);

  2. 极大地提高了透明超疏水玻璃的耐用性;

  3. 创造性地研发了油水分离技术;

  4. 主持苏州大学光电学院公共平台工作。

项目:主持——1项欧盟项目、1项科技部国家重点研发计划国际合作项目、1国家自然科学基金面上项目、1项江苏省自然科学基金重大项目;重要合作方——2项科技部中芬合作项目。


2001-2009年:TUT教工,ORC高级研究员

从事III-V族半导体材料分子束外延、III-V族半导体光电子器件、纳米制备研究。

  1. 设计了一种新的减少内应力的稀氮材料异质结构,基于此结构的半导体激光器阈值电流密度减少了80%2002年的世界纪录);

  2. 发明了一种新的稀氮材料,与常规稀氮材料比,其光荧光强度增加50倍,半导体激光器阈值电流密度减少了50

项目:主持——2项芬兰科学院项目、1项欧盟FP7项目的芬兰课题负责人。


1993-2001年:中科院物理所研究生、助理研究员、副研究员(破格)

  1. 致力于SiSiGe材料的分子束外延生长。发现一种新的掺杂技术,可观察到SiGe量子点的室温光荧光;

  2. 研发了一种新的低温Si生长技术,大大抑制了Si基应力完全释放后的SiGe材料的位错密度,这个对Si基器件意义重大。


2018年度科学中国人年度人物奖;

江苏省,六大人才高峰;

中国科学院,院长奖学金优秀奖;

第一届全国中学生数学竞赛,二等奖;

第一届全国中学生物理竞赛,三等奖。

截至20197月,出版了1Springer专著和其他4部专著中各1章,申请29项专利(其中已授权15项),发表同行评审论文170篇,他引1800多次。


主要学术兼职:

  • (英国)贝德福特大学客座教授(2011.03-2018.05,2019.06-至今);

  • (英国)谢菲尔德大学客座教授(2018.03-至今);

  • 西交利物浦大学教工考评委员会校外专家(2017.04);

  • 苏州大学敬文书院,学业导师(2014.09-今)。


特邀评审员

教员业绩考核委员会校外专家,西交利物浦大学(2017.04);

全国博士论文评审委员会;

中国博士后基金;

国家自然科学基金;

中国光学学会;

Nature Photonics》(Nature子刊);

New Journal of Physics》(英国物理学会);

Nanotechnology》(英国物理学会);

Semiconductor Science and Technology》(英国物理学会);

Journal of Optics A: Pure and Applied Optics》(英国物理学会);

Journal of Applied Physics》(美国物理学会);

Photonics Technology Letters》(美国IEEE)。

社会职务

社会职务:

研究领域

研究领域:

目前主要研究方向:

1、半导体量子点:无缺陷、可控、定位生长半导体量子结构阵列的分子束外延设备及其生长研究。

2、纳米仿生:防水、防油、自清洁仿生研究;油水分离研究。


详情请见:http://changsipeng.com/Research

开授课程

开授课程:课程教学:

本科生课程:物理实验、前沿讲座

研究生课程:半导体激光器、专业英语、前沿讲座


科研项目

科研项目:
  • 1、稀氮半导体光电子材料,2015.01-2019.12,2015.01,彭长四,中科院新疆理化所,苏州大学,半导体材料,30万人民币,中科院新疆理化所,1
  • 2、高效LED超薄平面照明系统的合作研究,-2016.12,2014.04,方宗豹、彭长四,科技部,苏大维格,柔性电子,95万人民币,2014DFG12600,科技部,2
  • 3、透明导光导电薄膜的合作研发,-2015.03,2013.04,方宗豹、彭长四,科技部,苏大维格,柔性电子,195万人民币,2013DFG12210,科技部,2
  • 4、干涉光刻调控纳米尺度自组织外延成核(NanoStencil),-2020.12,2018.01,Mark Hopkinson,欧盟地平线2020,(英国)谢菲尔德大学,未来的新兴技术(FET),321万欧元,767285,欧盟地平线2020,2
  • 5、原位干涉光刻:新的纳米结构阵列制备技术,-2020.02,2017.03,Mark Hopkinson,英国EPSRC,(英国)谢菲尔德大学,先驱研究与技能,95.5万英镑,EP/P027822/1,英国EPSRC,2
  • 6、无缺陷长程有序半导体量子点,-2012.12,2012.01,彭长四,江苏省人力资源和社会保障厅,苏州大学,人才,3万人民币,2012-DZXX-050,江苏省人力资源和社会保障厅,1
  • 7、无缺陷长程有序外延半导体量子点的生长研究,-2015.12,2012.08,彭长四,江苏省高校自然科学基金,苏州大学,物理,15万人民币,12KJA140001,江苏省高校自然科学基金,1
  • 8、完美量子点的生长及研究,-2013.12,2011.01,彭长四,国家自然科学基金,苏州大学,物理,52万人民币,11074181,国家自然科学基金,1
  • 9、激光纳米制造,-2013.08,2010.09,彭长四,欧盟,(芬兰)坦佩雷理工大学,纳米制造,34.7万欧元,247644,欧盟玛丽居里研究人员交流项目,1
  • 10、半导体和光子晶体功能材料的负折射研究,-2012.12,2009.01,彭长四,芬兰科学院,(芬兰)坦佩雷理工大学,半导体材料,24万欧元,128691,芬兰科学院,1
  • 11、激光干涉材料纳米尺度结构化光刻技术的研发,-2009.03,2006.01,王作斌,欧盟FP6,(英国)卡迪夫大学,纳米制造,200万欧元,027976,欧盟FP6,2
  • 12、用于光电子器件的新的化合物半导体材料研究,-2008.12,2006.01,彭长四,芬兰科学院,(芬兰)坦佩雷理工大学,半导体材料,19.5万欧元,111077,芬兰科学院,1
  • 13、原位激光干涉图形化诱导自组装量子结构阵列的制备研究,2020.01-2022.12,2020.01,彭长四,科技部国家重点研发计划,苏州大学,电子信息,271万元,2018YFE0125800,科技部,1

论文

论文:
  • 1、http://changsipeng.com/Publications

科技成果

软件著作 软件著作:
  • 1、1.       Novel Optical Technologies for Nanofabrication, Qian Liu, Xuanming Duan, Changsi Peng, (ISBN: 978-3-642-40386-6, ISBN 978-3-642-40387-3 (eBook), DOI 10.1007/978-3-642-40387-3), Publisher: Springer (2013.12)
  • 2、2.       Laser Interference Lithography, C. Tan, C.S. Peng, Ainara Rodriguez, M. Pessa, S. M. Olaizola, V. N. Petryakov, Yu. K. Verevkin, J. Zhang, Z. Wang, T. Berthou, S. Tisserand, “Advances in Nanotechnology, 4” Chapter 6 (ISBN: 978-1-61668-618-5), ed. Zacharie Bartul and Jérôme Trenor, Publisher Nova Science Publishers, (2010)
  • 3、3.       Dilute nitrides: the material properties and laser performance, C.S. Peng and M. Pessa. “Nitrides and dilute nitrides: Growth, characterization and devices” Chapter 9 (ISBN: 978-81-7895-250-5), ed. J. Miguel-Sanchez, Publisher Transworld Research Network, pp. 229-264 (2007)
  • 4、4.       GaInNAs Quantum Well Lasers, W. Li, M. Pessa, T. Jouhti, C.S. Peng, E.-M. Pavelescu, chapter in Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, 3, edited by H.S.Nalwa, American Scientific Publishers, pp. 719-730 (2004)
  • 5、5.       Extending the emission wavelength of GaInNAs/GaAs quantum well lasers beyond 1300 nm, W. Li, J. Konttinen, T. Jouhti, C.S. Peng, E.-M. Pavelescu, M. Suominen, M. Pessa, An article in the book “Advanced Nanomaterials and Nanodevices” published by the Institute of Physics Publishing. IOP Publishing Ltd. 2003. ISBN: 0750309652, pp. 251-260 (2003)
专利 专利:
  • 1、原位无损剥离量子点的方法,ZL 201810556681.8,苏州大学,石震武,缪力力,杨琳韵,杨新宁,彭长四,发明,授权
  • 2、超疏水超亲油过滤膜及其制备方法和使用,ZL 201710082404.3,苏州大学,石震武,张锋,吴竹慧,徐成云,彭长四,发明,授权
  • 3、一种LED梳妆灯,ZL 201720003665.7,苏州大学,彭长四,方宗豹,张恒,实用新型,授权
  • 4、磁贴式LED平板灯,ZL 201720004751.X,苏州大学,彭长四,方宗豹,张恒,实用新型,授权
  • 5、一种基于三维多孔石墨烯超薄膜的垂直响应型气体传感器,ZL 201621352613.2,苏州大学,王艳艳,彭长四,陈林森,实用新型,授权
  • 6、一种三维多孔石墨烯超薄膜气体传感器及其制备方法,ZL 201610959549.2,苏州大学,王艳艳,彭长四,陈林森,宋加加,发明,授权

荣誉及奖励

荣誉及奖励:
  • 1、http://changsipeng.com/CV

招生信息

招生信息:
  • 1、诚聘MBE、激光方向博士后;,要求:III-V MBE、激光光束整形
  • 2、本研究组有科技部国家重点研发计划支持
招生信息1:欢迎报考如下研究方向研究生:

一、无缺陷、尺寸均匀可控、空间周期分布且可控的量子点研究
1、研究介绍(见“个人信息”之“研究方向”)。
2、招生要求:本科以理科为主,要求掌握凝聚态相关基础知识如“量子力学”和“固体物理”,学过“半导体物理”更好。

二、纳米仿生研究

1、研究介绍(见“个人信息”之“研究方向”)。

2、招生要求:要求掌握凝聚态相关基础知识如“固体物理”,学过“物理化学”更好。